第一金融网 > 资讯

读延迟缩短至18ns,中国科学院微电子所在新型存储器领域取得重要进展

时间:2023-07-19 12:51:07来源:IT之家阅读量:2556  阅读量:17508   

,中国科学院微电子研究所今日发文,微电子所刘明院士团队提出了一种基于 TiN/ TiOxNy / TiOx / NbOx / Ru 结构的非细丝型自选通阻变存储器,并在 16 层三维垂直结构上实现。

据介绍,该存储器实现了 50 倍开态电流密度的提升,并达到了高非线性。TiOx 内部峰状势垒的形成有效提升了器件的非线性。第一性原理计算结果表明 Nb2O5 的氧空位聚合能为正值,这表明氧空位不容易发生聚集,器件可在较高电流下工作而不会发生击穿,从而实现高电流密度。

图16 层三维垂直 RRAM 的 TEM 截面图、图(b)I-V 特性曲线

中国科学院微电子研究所表示,由于电流的提升,该器件的读延迟缩短至 18ns。该工作为实现具有高速、高密度的 3D VRRAM 提供了可能途径。

IT之家查询获悉,该成果以题为“16-layer 3D Vertical RRAM with Low Read Latency , High Nonlinearity (gt;5000) and Ultra-low Leakage Current (~pA) Self-Selective Cells”入选 2023 VLSI。微电子所博士生丁亚欣为第一作者,微电子所罗庆研究员和华中科技大学薛堪豪教授为通讯作者。

广告声明:文内含有的对外跳转链接,用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,IT之家所有文章均包含本声明。

声明:本网转发此文章,旨在为读者提供更多信息资讯,所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问,请与有关方核实,文章观点非本网观点,仅供读者参考。